1.场效应管是电压控制器件，栅极基本不取电流,而晶体管是电流控制器件,基极必须取一定的电流,应此对于信号源额定电流极小的情况下，常选用场效应管。
　　2.场效应管是多子导电,晶体管是两种载流子参与导电。但少子受环境影响明显。
　　3.场效应管FET和晶体管BJT一样具有放大作用，而且这两种放大元件间存在着电极对应关系G-b，S-e，D-c。因此根据BJT电路，即可得到与之对应的FET放大电路。但不能简单地加以替换，否则有时电路不能正常工作。场效应除作放大器件及可控开关外还可作压控可变线性电阻使用。
　　4.场效应管S极和D极是对称的，可以互换使用，耗尽型MOS管栅源电压可正可负使用比晶体三极管灵活。
　　5.场效应管组成放大电路时与晶体管一样，必须选择合适的静态工作点，栅极必须有合适的偏压，但不出现偏流，对不同类型场效应管对偏压的极性要求不同，特列如下：

类型	VGS	VDS	类型	VGS	VDS
N沟道JFET	负	正	P沟道JFET	正	负
N沟道EMOS	正	正	P沟道EMOS	负	负
N沟道DMOS	正/负	正	P沟道DMOS	正/负	负

　　注：JFET表示结型场效应管，DMOS表示耗尽型场效应管；EMOS表示增强型场效应管。
　　自给偏压电路
　　如图，为自给偏压电路。电容对Rs起旁路作用——源极旁路电容。

计算法
　　计算法采用下列公式求解:


　　式子的IDSS称为饱和电流，即为VGS=0时ID的值；VP称为夹断电压，当VGS=VP时，漏极电流ID为0。
　　让我们来看一个例子,电路如图.
　　已知:VP=-4V ，IDSS=2mA。代入上述两个公式得：


　　求解此两方程,解得：ID1=0.82mA,ID2=0.30mA
　　因为-ID1RS< VP，因而ID1=0.82mA不合题意，舍去，故静态漏极电流IDQ为
　　IDQ=0.30mA；
　　静态管压降VGSQ、VDSQ分别为

	JFET	MOSFET
N 沟　 道
P 沟　　 道

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